PECVD顏色均勻性的研究
摘要:根據(jù)多晶硅PECVD的制程原理,分別驗(yàn)證溫度、流量、功率等工藝參數(shù)對(duì)鍍膜質(zhì)量的影響,尋求最佳參數(shù),從而達(dá)到優(yōu)化工藝,改善鍍膜顏色質(zhì)量,保證顏色均勻性的目的。
太陽(yáng)能電池工藝中,鍍減反射膜是關(guān)鍵的工藝段。減反射膜可以減少光的反射率,增加電池片的少子壽命,從而提高電池轉(zhuǎn)換效率。減反射膜的制作有多種方法,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhancedChemicalVapourDeposition,簡(jiǎn)稱PECVD)制備的氮化硅薄膜具有良好的絕緣性、致密性、穩(wěn)定性,并能有效地阻止B、P、Na、As、Sb、Ge、A1、Zn等雜質(zhì)的擴(kuò)散[1]。本文通過(guò)調(diào)節(jié)相關(guān)工藝設(shè)備參數(shù),使氮化硅膜的均勻性得到有效控制,顏色的一致性大大改觀,在實(shí)際生產(chǎn)中取得良好的效果。
圖1為管式PECVD的原理圖。工藝氣體通過(guò)流量控制器進(jìn)入爐管,真空泵用來(lái)調(diào)節(jié)氣壓,化學(xué)氣體在加熱器及等離子體的作用下于硅片表面形成SIN層。
圖2為等離子原理圖。等離子體發(fā)生器的兩電極分別與石墨舟舟片相連,通過(guò)舟片給電池片通電,從而在硅片表面產(chǎn)生等離子體。
沉積裝置使用CT管式PECVD,樣片使用制絨后p型多晶硅片,等離子體的頻率為40kHz,化學(xué)氣體為硅烷、氨氣、氮?dú)狻?shí)驗(yàn)中保持第一層膜工藝參數(shù)不變,調(diào)節(jié)第二層膜氣壓、溫度、等離子體功率等工藝參數(shù),利用橢偏儀、GPsolar相機(jī)測(cè)試膜厚,衡量其鍍膜的均勻性;調(diào)整PECVD裝載端設(shè)備參數(shù),觀察調(diào)整后電池片邊緣顏色情況。
3.1實(shí)驗(yàn)結(jié)果
3.1.1工藝參數(shù)調(diào)整
實(shí)驗(yàn)時(shí)選取國(guó)電硅片,分9組,每組400片,按正常工藝流程送至PECVD工藝段。
(1)保持NH3與SiH4比例不變的情況下,不同的氣體總流量下,觀察氮化硅膜的顏色均勻性,如表1、圖3所示。
(2)保持NH3與SiH4比例與氣體總流量不變的情況下,調(diào)高各溫區(qū)溫度,觀察氮化硅膜的顏色均勻性,如表2、圖4所示。
(3)保持NH3與SiH4比例與氣體總流量、溫度不變的情況下,調(diào)高等離子體功率,觀察氮化硅膜的顏色均勻性,如圖5所示。
3.1.2設(shè)備參數(shù)調(diào)整
實(shí)驗(yàn)時(shí)選取國(guó)電硅片,分4組,每組400片,按正常工藝流程送至PECVD工藝段。
(1)更換石墨舟卡點(diǎn),由原來(lái)間距0.35cm調(diào)整為0.25cm,跟蹤查看調(diào)整前后顏色均勻性的變化,如表3所示。
(2)修改加載端機(jī)械手位置,使硅片位置更貼近卡點(diǎn)處,如表4所示。
3.2實(shí)驗(yàn)分析與討論
由圖2、圖3可以看出,顏色偏差隨溫度、流量的升高而降低,顏色均勻性得到改善。溫度升高、流量增大,氣體分子的擴(kuò)散速度增大,爐管內(nèi)各處氣體的濃度一致性變好,有利于整舟顏色均勻性,同時(shí)襯底溫度的升高,提高了原子的活性,硅片表面原子的遷移率增大,有利于單片鍍膜的均勻性。由圖5可以看出,功率增大,顏色的均勻性變好,功率變大,舟片之間的電場(chǎng)隨之變強(qiáng),等離子體的運(yùn)動(dòng)速率增大,硅片表面的離子、中性分子、原子相互撞擊頻率變大,有利于鍍膜的均勻性。
由表3看出,卡點(diǎn)直徑的調(diào)整能夠在很大程度上減少邊緣色差,其主要原因?yàn)榭c(diǎn)直徑變小后,硅片與舟之間的貼合更緊,不會(huì)影響舟邊緣的導(dǎo)電性;機(jī)械手位置的調(diào)整對(duì)顏色影響不大,可能機(jī)械手位置調(diào)整范圍有限,無(wú)法達(dá)到理想效果。
通過(guò)以上實(shí)驗(yàn)分析,可以看出,氣體流量、溫度、等離子功率都對(duì)顏色均勻性有影響,但是在實(shí)際生產(chǎn)中,參數(shù)之間存在相互影響,綜合優(yōu)化各個(gè)參數(shù),可以使電池片性能達(dá)到最好。
參考文獻(xiàn):
[1] 趙 慧,徐 征.氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太陽(yáng)電池上的應(yīng)用[J].太陽(yáng)能學(xué)報(bào),2004,25(2):142-143.
[2] 李中華.晶硅太陽(yáng)電池雙層減反膜的研究[D].北京:北京交通大學(xué),2011:14-15.·
賈彥科,楊飛飛
山西潞安太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司
通信電源技術(shù)
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